MOSFET canal N onsemi 58 A 1.2 kV Enrichissement, 7 broches, HPSOF-8L NTB AEC-Q101
- Code commande RS:
- 254-7666
- Référence fabricant:
- NTBL045N065SC1
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 254-7666
- Référence fabricant:
- NTBL045N065SC1
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 58A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | HPSOF-8L | |
| Série | NTB | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 22mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Tension directe Vf | 4.5V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 105nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 117W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 58A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier HPSOF-8L | ||
Série NTB | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 22mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Tension directe Vf 4.5V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 105nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 117W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, Transistor MOSFET en carbure de silicium (SiC) TOLL - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL
La série NTB d'ON Semiconductor de MOSFET en carbure de silicium utilise une technologie entièrement nouvelle qui fournit des performances de commutation supérieures et une plus grande fiabilité par rapport au silicium. En outre, avec une faible résistance à l'état passant et une taille de circuit compacte. Il garantit une faible capacité et une charge de grille. Par conséquent, les avantages du système incluent le plus haut rendement, une fréquence d'utilisation plus rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des IEM et une réduction de la taille du système.
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