MOSFET canal N STMicroelectronics 7 A 1.7 kV Enrichissement, 3 broches, Hip-247 SCT1000N170
- Code commande RS:
- 212-2091
- Référence fabricant:
- SCT1000N170
- Marque:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
289,83 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 9,661 € | 289,83 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 212-2091
- Référence fabricant:
- SCT1000N170
- Marque:
- STMicroelectronics
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.7kV | |
| Type de Boitier | Hip-247 | |
| Série | SCT1000N170 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.66Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 4.5V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 22V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 96W | |
| Température d'utilisation maximum | 200°C | |
| Hauteur | 5.15mm | |
| Longueur | 15.75mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 20.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.7kV | ||
Type de Boitier Hip-247 | ||
Série SCT1000N170 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.66Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 4.5V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 22V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 13.3nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 96W | ||
Température d'utilisation maximum 200°C | ||
Hauteur 5.15mm | ||
Longueur 15.75mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 20.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
MOSFET à SiC
Le transistor MOSFET de puissance en carbure de silicium STMicroelectronics est produit en exploitant les propriétés Advanced et innovante des matériaux à large bande passante. Cela entraîne une résistance à l'état passant inégalée par zone d'unité et de très bonnes performances de commutation presque indépendantes de la température. Les propriétés thermiques remarquables du matériau SiC, combinées au boîtier du dispositif dans le boîtier propriétaire hip247, permettent aux concepteurs d'utiliser un contour standard avec une capacité thermique nettement améliorée.
Hautes performances de commutation
Diode de corps intrinsèque très rapide et robuste
Faibles capacités
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