MOSFET 1 canal N Double DiodesZetex 46.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060 DMTH4008LPDWQ AEC-Q101,

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Code commande RS:
213-9247
Référence fabricant:
DMTH4008LPDWQ-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

46.2A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

PowerDI5060

Série

DMTH4008LPDWQ

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.0123Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

39.4W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

5.8nC

Tension directe Vf

900mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Double

Normes/homologations

RoHS, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0

Longueur

5.15mm

Largeur

6.4mm

Hauteur

1.1mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

La série DiodesZetex DMTH4008LPDWQ est un transistor MOSFET à canal N double conçu pour répondre aux exigences rigoureuses des applications automobiles. Il est utilisé dans les fonctions de gestion de l'alimentation, la commande de moteur et les convertisseurs c.c.-c.c.

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

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