MOSFET canal N Infineon 9 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 600V CoolMOS P7
- Code commande RS:
- 214-4371
- Référence fabricant:
- IPB60R360P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-4371
- Référence fabricant:
- IPB60R360P7ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 9A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | 600V CoolMOS P7 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 360mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 41W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 4.5mm | |
| Longueur | 10.02mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 9.27mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 9A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série 600V CoolMOS P7 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 360mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 41W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 13nC | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 4.5mm | ||
Longueur 10.02mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 9.27mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon 600 V CoolMOS série P7, tension de source de drain de 600 V, courant de drain continu de 9 A - IPB60R360P7ATMA1
Ce MOSFET est un dispositif à canal N haute tension conçu pour les fonctions de commutation et de conversion de puissance dans les systèmes d'alimentation industriels. Il est fourni dans un boîtier à montage en surface TO-263 et est destiné aux applications qui nécessitent un contrôle de grille robuste et une gestion importante du courant de drain dans des plages de température élevées.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale drain-source de 600 V permet une capacité de commutation haute tension
• Le courant de drain continu de 9 A prend en charge des courants de charge substantiels
• Rds(on) de 360 mΩ réduit les pertes de conduction sous charge
• La dissipation de puissance maximale de 41 W permet de gérer les contraintes thermiques pendant le fonctionnement
• La charge de grille typique de 13 nC permet des transitions de commande de grille efficaces
• Tolérance grille-source maximale de 20 V permettant des tensions de commande de grille courantes
• Le courant de drain continu de 9 A prend en charge des courants de charge substantiels
• Rds(on) de 360 mΩ réduit les pertes de conduction sous charge
• La dissipation de puissance maximale de 41 W permet de gérer les contraintes thermiques pendant le fonctionnement
• La charge de grille typique de 13 nC permet des transitions de commande de grille efficaces
• Tolérance grille-source maximale de 20 V permettant des tensions de commande de grille courantes
Applications
• Utilisé pour les étapes de commutation d'alimentation haute tension
• Convient aux modules de conversion c.a./c.c. industriels
• Idéal pour les implémentations de redressement synchrone côté secondaire
• Peut être utilisé pour les circuits auxiliaires d'entraînement de moteur haute tension
• Utilisé avec les assemblages à montage en surface nécessitant des dispositifs d'alimentation à trois bornes
• Convient aux modules de conversion c.a./c.c. industriels
• Idéal pour les implémentations de redressement synchrone côté secondaire
• Peut être utilisé pour les circuits auxiliaires d'entraînement de moteur haute tension
• Utilisé avec les assemblages à montage en surface nécessitant des dispositifs d'alimentation à trois bornes
Quelles températures extrêmes peut-il tolérer pendant le fonctionnement?
Il fonctionne sur une plage de -55 à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements thermiques difficiles.
Quel boîtier et quelle méthode de montage utilise-t-il pour l'intégration de la carte?
Il est fourni dans un boîtier TO-263 conçu pour le montage en surface afin de faciliter le contact thermique et l'assemblage automatisé.
Comment le dispositif répond-il aux exigences d'entraînement de grille pour une commutation rapide?
Avec une charge de grille typique de 13 nC et une limite de source de grille de 20 V, il prend en charge la commutation rapide tout en utilisant des tensions de commande de grille courantes.
Quelle polarité et quel mode de contrôle le transistor utilise-t-il?
Il s'agit d'un dispositif à mode d'amélioration de type N adapté aux topologies de commutation low-side et high-side.
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