MOSFET canal N Infineon 18 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 600V CoolMOS P7

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

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Code commande RS:
214-4385
Référence fabricant:
IPD60R180P7SAUMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

18A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-252

Série

600V CoolMOS P7

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

180mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

25nC

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

72W

Tension directe Vf

900mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

6.42mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.65mm

Hauteur

2.35mm

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET à super jonction P7 Cool MOS 600 V continue d'équilibrer le besoin d'un haut rendement par rapport à la facilité d'utilisation dans le processus de conception. Le meilleur RonxA de classe et la faible charge de grille (QG) inhérente à la plate-forme de 7e génération Cool MOS TM garantissent un haut rendement.

Il est doté d'une diode de corps robuste

Le RG intégré réduit la sensibilité d'oscillation du MOSFET

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