MOSFET canal N Infineon 165 A 80 V Enrichissement, 8 broches, HSOG OptiMOS 5 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 214-8991
- Référence fabricant:
- IAUS165N08S5N029ATMA1
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 214-8991
- Référence fabricant:
- IAUS165N08S5N029ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 165A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | HSOG | |
| Série | OptiMOS 5 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 165A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier HSOG | ||
Série OptiMOS 5 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
La gamme Infineon d'OptiMOS-5 Mosfet est dotée d'une gamme de transistors MOSFET à faible consommation d'énergie. Les produits OptiMOS sont disponibles dans des boîtiers hautes performances pour s'attaquer aux applications les plus difficiles, offrant une flexibilité totale dans les espaces restreints. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Testé à 100 % en avalanche
Sa température d'utilisation est de 175 °C.
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