MOSFET canal N Infineon 15 A 650 V Enrichissement, 5 broches, VSON CoolMOS C7

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Code commande RS:
214-9079
Référence fabricant:
IPL65R130C7AUMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

15A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

VSON

Série

CoolMOS C7

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

130mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Dissipation de puissance maximum Pd

102W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

35nC

Tension directe Vf

800mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Normes/homologations

No

Largeur

8.1mm

Longueur

8.1mm

Hauteur

1.1mm

Standard automobile

Non

Infineon CoolMOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série CoolMOS C7 combine l'expérience du premier fournisseur de MOSFET SJ avec une innovation de haute qualité. La gamme de produits offre tous les avantages des transistors MOSFET à super jonction à commutation rapide offrant un meilleur rendement, une charge de grille réduite, une mise en œuvre facile et une fiabilité exceptionnelle.

Facile à utiliser/à piloter grâce à la broche source du driver pour un meilleur rendement Contrôle de la porte

Qualifié pour les applications de classe industrielle conformément à JEDEC (J-STD20 et JESD22)

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