MOSFET et Diode canal N Infineon 151 A 650 V Enrichissement, 5 broches, VSON CoolMOS P7
- Code commande RS:
- 220-7428
- Référence fabricant:
- IPL60R065P7AUMA1
- Marque:
- Infineon
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9 432,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 3,144 € | 9 432,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 220-7428
- Référence fabricant:
- IPL60R065P7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 151A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | VSON | |
| Série | CoolMOS P7 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 65mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 201W | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 67nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 8.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Courant continu de Drain maximum Id 151A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier VSON | ||
Série CoolMOS P7 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 65mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 201W | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 67nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 8.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Longueur 8.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET Infineon 600 V Cool MOS P7 Super Junction (SJ) est le successeur de la série 600 V Cool MOS P6. Il continue d'équilibrer le besoin d'un haut rendement par rapport à la facilité d'utilisation dans le processus de conception. La meilleure R onxA de classe et la faible charge de grille (Q G) inhérente à la plate-forme de 7e génération Cool MOS garantissent un haut rendement.
Le P7 600 V permet d'excellentes RDS(on)xEoss et RDS(on)XQG de FOM
Robustesse ESD de ≥ 2 kV (HBM classe 2)
Résistance de porte RG intégrée
Diode intégrée robuste
Large gamme de boîtiers à montage traversant et en surface
Des pièces de qualité standard et industrielle sont disponibles
L'excellent Fom RDS(on)XQG/RDS(on)xEoss permet un rendement plus élevé
Facilité d'utilisation dans les environnements de fabrication en arrêtant les pannes ESD
Le RG intégré réduit la sensibilité d'oscillation du MOSFET
Le transistor MOSFET est adapté pour les topologies de commutation difficiles et résonantes Tels que PFC et LLC
Excellente robustesse pendant la commutation difficile de la diode de corps visible Dans la topologie LLC
Adapté à une grande variété d'applications finales et de sorties Puissances
Pièces disponibles pour les applications grand public et industrielles
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