MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, ThinkPAK 8 x 8 151 A 650 V, 5 broches

Le transistor MOSFET Infineon 600 V Cool MOS P7 Super Junction (SJ) est le successeur de la série 600 V Cool MOS P6. Il continue d'équilibrer le besoin d'un haut rendement par rapport à la facilité d'utilisation dans le processus de conception. La meilleure R onxA de classe et la faible charge de grille (Q G) inhérente à la plate-forme de 7e génération Cool MOS garantissent un haut rendement.

Le P7 600 V permet d'excellentes RDS(on)xEoss et RDS(on)XQG de FOM
Robustesse ESD de ≥ 2 kV (HBM classe 2)
Résistance de porte RG intégrée
Diode intégrée robuste
Large gamme de boîtiers à montage traversant et en surface
Des pièces de qualité standard et industrielle sont disponibles
L'excellent Fom RDS(on)XQG/RDS(on)xEoss permet un rendement plus élevé
Facilité d'utilisation dans les environnements de fabrication en arrêtant les pannes ESD
Le RG intégré réduit la sensibilité d'oscillation du MOSFET
Le transistor MOSFET est adapté pour les topologies de commutation difficiles et résonantes Tels que PFC et LLC
Excellente robustesse pendant la commutation difficile de la diode de corps visible Dans la topologie LLC
Adapté à une grande variété d'applications finales et de sorties Puissances
Pièces disponibles pour les applications grand public et industrielles