MOSFET et Diode canal N Infineon 151 A 650 V Enrichissement, 5 broches, VSON CoolMOS P7

Voir la catégorie
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

14,11 €

HT

16,93 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • Plus 150 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 87,055 €14,11 €
10 - 186,065 €12,13 €
20 - 485,645 €11,29 €
50 - 985,29 €10,58 €
100 +4,87 €9,74 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
220-7429
Référence fabricant:
IPL60R065P7AUMA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET et Diode

Courant continu de Drain maximum Id

151A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Série

CoolMOS P7

Type de Boitier

VSON

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

65mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

67nC

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

900mV

Dissipation de puissance maximum Pd

201W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

8.1mm

Normes/homologations

No

Longueur

8.1mm

Hauteur

1.1mm

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET Infineon 600 V Cool MOS P7 Super Junction (SJ) est le successeur de la série 600 V Cool MOS P6. Il continue d'équilibrer le besoin d'un haut rendement par rapport à la facilité d'utilisation dans le processus de conception. La meilleure R onxA de classe et la faible charge de grille (Q G) inhérente à la plate-forme de 7e génération Cool MOS garantissent un haut rendement.

Le P7 600 V permet d'excellentes RDS(on)xEoss et RDS(on)XQG de FOM

Robustesse ESD de ≥ 2 kV (HBM classe 2)

Résistance de porte RG intégrée

Diode intégrée robuste

Large gamme de boîtiers à montage traversant et en surface

Des pièces de qualité standard et industrielle sont disponibles

L'excellent Fom RDS(on)XQG/RDS(on)xEoss permet un rendement plus élevé

Facilité d'utilisation dans les environnements de fabrication en arrêtant les pannes ESD

Le RG intégré réduit la sensibilité d'oscillation du MOSFET

Le transistor MOSFET est adapté pour les topologies de commutation difficiles et résonantes Tels que PFC et LLC

Excellente robustesse pendant la commutation difficile de la diode de corps visible Dans la topologie LLC

Adapté à une grande variété d'applications finales et de sorties Puissances

Pièces disponibles pour les applications grand public et industrielles

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.