MOSFET et Diode canal N Infineon 100 A 650 V Enrichissement, 5 broches, VSON CoolMOS P7
- Code commande RS:
- 220-7432
- Référence fabricant:
- IPL60R105P7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
5 373,00 €
HT
6 447,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 19 juillet 2027
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,791 € | 5 373,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 220-7432
- Référence fabricant:
- IPL60R105P7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | CoolMOS P7 | |
| Type de Boitier | VSON | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 105mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 137W | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 45nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Largeur | 8.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série CoolMOS P7 | ||
Type de Boitier VSON | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 105mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 137W | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 45nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 8.1mm | ||
Largeur 8.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
MOSFET et diode Infineon CoolMOS série P7, tension de source de drain maximale de 650 V, courant de drain continu maximal de 100 A - IPL60R105P7AUMA1
Caractéristiques et avantages :
• Le courant de drainage continu de 100 A permet de gérer les charges lourdes
• La valeur Rds(on) maximale de 105 mΩ réduit les pertes de conduction dans les étages de puissance
• La dissipation de puissance maximale de 137 W permet une charge thermique élevée
• La charge de grille typique de 45 nC à Vgs 20 V équilibre les exigences d'entraînement
• Le boîtier VSON à 5 broches prend en charge l'intégration compacte à montage en surface
Applications
• Idéal pour les alimentations hors ligne nécessitant une diode MOSFET haute tension
• Utilisé pour le redressement synchrone dans les conceptions de convertisseurs haute puissance
• Peut être utilisé pour les étages avant d'entraînement de moteur industriel
• Convient aux convertisseurs CC-CC gérant un courant continu important
Quelle plage de tension d'entraînement de grille est autorisée pour un fonctionnement sûr?
Quelles sont les extrêmes thermiques qu'il peut supporter pendant son fonctionnement?
Comment le boîtier influe-t-il sur le montage et la disposition?
Quel est le budget typique que les concepteurs de charge de commutation doivent prévoir pour les drivers de grille?
Nos clients ont également consulté
- MOSFET et Diode canal N Infineon 100 A 650 V Enrichissement VSON CoolMOS P7
- MOSFET et Diode canal N Infineon 151 A 650 V Enrichissement VSON CoolMOS P7
- MOSFET et Diode canal N Infineon 97 A 650 V Enrichissement VSON CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 13 A 650 V Enrichissement VSON CoolMOS
- MOSFET canal N Infineon 15 A 650 V Enrichissement VSON CoolMOS C7
- MOSFET et Diode canal N Infineon 16 A 650 V Enrichissement SOT-223 CoolMOS P7
- MOSFET et Diode canal N Infineon 151 A 650 V Enrichissement TO-247 CoolMOS P7
- MOSFET et Diode canal N Infineon 151 A 650 V Enrichissement TO-263 CoolMOS P7
