MOSFET canal N Infineon 100 A 75 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 OptiMOS AEC-Q101

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Code commande RS:
214-9085
Référence fabricant:
IPP100N08S2L07AKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

75V

Type de Boitier

TO-220

Série

OptiMOS

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

6.8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

182nC

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

4.57mm

Longueur

10.36mm

Normes/homologations

No

Hauteur

9.45mm

Standard automobile

AEC-Q101

La gamme Infineon offre une large gamme complète de dispositifs MOSFET, qui inclut les familles CoolMOS, OptiMOS et IRFET robuste. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Le produit est certifié AEC Q101

Sa température d'utilisation est de 175 °C.

Testé à 100 % en avalanche

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