MOSFET canal N Infineon 7.2 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-251 CoolMOS CE
- Code commande RS:
- 214-9105
- Référence fabricant:
- IPS65R1K0CEAKMA2
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 214-9105
- Référence fabricant:
- IPS65R1K0CEAKMA2
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-251 | |
| Série | CoolMOS CE | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 37W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 6.22mm | |
| Largeur | 2.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-251 | ||
Série CoolMOS CE | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 37W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6.73mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 6.22mm | ||
Largeur 2.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon CoolMOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. CoolMOS CE est une plate-forme optimisée pour des performances économiques qui permet de cibler les applications sensibles aux coûts sur les marchés grand public et de l'éclairage en respectant les normes de rendement les plus élevées. La nouvelle série offre tous les avantages d'un transistor MOSFET Super Junction à commutation rapide tout en ne sacrifiant pas la facilité d'utilisation et offrant le meilleur rapport de performances de réduction des coûts disponible sur le marché.
Facile à utiliser/à piloter
Robustesse de commutation très élevée
Qualifié pour les applications de qualité standard
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