MOSFET 2 canal N Double ROHM 80 A 30 V Enrichissement, 8 broches, HSOP HP Non

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Code commande RS:
215-9752
Référence fabricant:
HP8K24TB
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

80A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

HP

Type de Boitier

HSOP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

31W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

10nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Configuration du transistor

Double

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

6mm

Normes/homologations

No

Longueur

5mm

Hauteur

1.1mm

Nombre d'éléments par circuit

2

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET de puissance Rohm est doté d'une tension nominale de 30 V. Il est doté d'une faible résistance. Il est principalement utilisé dans la commutation et le convertisseur c.c.-c.c.

Sans plomb

Conforme à la directive RoHS

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