MOSFET 2 canal N MOSFET à canal N intégré Infineon 5.1 A 55 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 HEXFET Non

Les transistors MOSFET de puissance Infineon HEXFET ® dans un boîtier SO-8 double utilisent les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de ces transistors MOSFET de puissance HEXFET sont une température d'utilisation de jonction de 175 °C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure valeur nominale d'avalanche répétitive. Ces avantages se combinent pour faire de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'autres applications. La valeur nominale de 175 °C pour le boîtier SO-8 fournit des performances thermiques améliorées avec une plus grande zone de fonctionnement sûre et une double capacité de matrice MOSFET, ce qui le rend idéal dans une grande variété d'applications de puissance. Ce SO-8 à double montage en surface peut réduire considérablement l'espace sur la carte et est également disponible en ruban et bobine.

Technologie de traitement avancée