MOSFET canal N Infineon -7.4 A -12 V, 8 broches, SO-8 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9308
- Référence fabricant:
- IRF7329TRPBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 + | 0,982 € | 4,91 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9308
- Référence fabricant:
- IRF7329TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -7.4A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -12V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 199mΩ | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 8V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 8.1nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 4mm | |
| Hauteur | 1.75mm | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Longueur | 5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id -7.4A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -12V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 199mΩ | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 8V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 8.1nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 4mm | ||
Hauteur 1.75mm | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Longueur 5mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est le mosfet de puissance HEXFET à canal P double -12 V dans un boîtier SO 8.
Conforme à la directive RoHS
Faible RDS (marche)
MOSFET canal P double
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