MOSFET canal N Infineon 3.7 A 200 V, 8 broches, SO-8 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9319
- Référence fabricant:
- IRF7820TRPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*
2 340,00 €
HT
2 808,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 28 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,585 € | 2 340,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9319
- Référence fabricant:
- IRF7820TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 78mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 29nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 330mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 78mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 29nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 330mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance HEXFET à canal n simple 200 V dans un boîtier SO 8.
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Le niveau normal est optimisé pour une tension d'entraînement de grille de 10 V
Boîtier à montage en surface standard
Peut être soudé à la vague
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 3.7 A 200 V SO-8 HEXFET
- MOSFET P Infineon 5 A SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon -8 A -30 V SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon 57 A 100 V, SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon -12 A -30 V, SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon 6.5 A 30 V, SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon 21 A 30 V SO-8 HEXFET
- MOSFET N Infineon 10 A 40 V SO-8 HEXFET