MOSFET canal N Infineon 3.7 A 200 V, 8 broches, SO-8 HEXFET

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Code commande RS:
257-9320
Référence fabricant:
IRF7820TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

3.7A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Série

HEXFET

Type de Boitier

SO-8

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

78mΩ

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

29nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Hauteur

330mm

Standard automobile

Non

La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance HEXFET à canal n simple 200 V dans un boîtier SO 8.

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Le niveau normal est optimisé pour une tension d'entraînement de grille de 10 V

Boîtier à montage en surface standard

Peut être soudé à la vague

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