MOSFET canal N Infineon -9 A 20 V, 8 broches, SO-8 HEXFET

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Code commande RS:
257-9303
Référence fabricant:
IRF7324TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

-9A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

HEXFET

Type de Boitier

SO-8

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

18mΩ

Tension maximale de source de la grille Vgs

12V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

42nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4mm

Normes/homologations

RoHS

Longueur

5mm

Hauteur

1.75mm

Standard automobile

Non

La série IRF d'Infineon est le mosfet de puissance HEXFET à canal P double -20 V dans un boîtier SO 8.

Structure de cellule planaire pour large SOA

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz

Boîtier d'alimentation à montage en surface standard

Peut être soudé à la vague

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