MOSFET canal N Infineon -6.7 A -20 V, 8 broches, SO-8 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9310
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-519
- Référence fabricant:
- IRF7404TRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 257-9310
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-519
- Référence fabricant:
- IRF7404TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -6.7A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -20V | |
| Type de Boitier | SO-8 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 40mΩ | |
| Tension directe Vf | -1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 33.3nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.5W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id -6.7A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -20V | ||
Type de Boitier SO-8 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 40mΩ | ||
Tension directe Vf -1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 33.3nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.5W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est une puissante famille de MOSFET de puissance IRFET optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse.
Structure de cellule planaire pour large SOA
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Boîtier d'alimentation à montage en surface standard
Peut être soudé à la vague
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