MOSFET canal N Infineon 9 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 HEXFET

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Code commande RS:
217-2607
Référence fabricant:
IRF7469TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

9A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

HEXFET

Type de Boitier

SO-8

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

21mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

39nC

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

2.5W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

4.9mm

Largeur

3.9mm

Hauteur

1.75mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance HEXFET à canal N unique Infineon 40 V dans un boîtier SO-8.

Impédance de grille ultra faible

RDS(on) très faible

Tension et courant en avalanche entièrement caractérisés

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