MOSFET canal N Infineon 57 A 100 V, 3 broches, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 218-3095
- Référence fabricant:
- IRF3710STRLPBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 1,127 € | 901,60 € |
| 1600 + | 1,113 € | 890,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 218-3095
- Référence fabricant:
- IRF3710STRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 57A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 23mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 86.7nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3.8W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Normes/homologations | EIA 418 | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 57A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 23mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 86.7nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3.8W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 9.65mm | ||
Normes/homologations EIA 418 | ||
Longueur 10.67mm | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance à canal N série Infineon HEXFET. Les transistors MOSFET de puissance HEXFET d'international Rectifier utilisent des techniques de traitement Advanced pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Il est adapté pour les applications à courant élevé en raison de sa faible résistance de connexion interne et peut dissiper jusqu'à 2 W dans une application typique à montage en surface.
Résistance à l'état passant ultra faible
Puissance nominale dv/dt dynamique
Température d'utilisation de 175 °C
Commutation rapide
Sans plomb
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