MOSFET canal N Infineon 28 A 150 V, 2 broches, DirectFET HEXFET
- Code commande RS:
- 218-3102
- Référence fabricant:
- IRF6775MTRPBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 218-3102
- Référence fabricant:
- IRF6775MTRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 28A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Type de Boitier | DirectFET | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 56mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 89W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 3.95mm | |
| Hauteur | 680μm | |
| Longueur | 4.85mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 28A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Type de Boitier DirectFET | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 2 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 56mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 89W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 3.95mm | ||
Hauteur 680μm | ||
Longueur 4.85mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance HEXFET à canal N unique Infineon 150 V. Ce transistor MOSFET audio numérique est spécialement conçu pour les applications d'amplificateur audio de classe D. Ce transistor MOSFET utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une faible résistance par surface de silicium. L'inductance plus faible améliore les performances IEM en réduisant la sonnerie de tension qui accompagne les transitoires de courant rapides.
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