MOSFET N Infineon 28 A 150 V, 2 broches, DirectFET HEXFET

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Code commande RS:
218-3102
Référence fabricant:
IRF6775MTRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

28A

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Type de Boitier

DirectFET

Série

HEXFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

2

Résistance Drain Source maximum Rds

56mΩ

Dissipation de puissance maximum Pd

89W

Tension directe Vf

1.3V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

25nC

Hauteur

0.68mm

Longueur

4.85mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance HEXFET à canal N unique Infineon 150 V. Ce transistor MOSFET audio numérique est spécialement conçu pour les applications d'amplificateur audio de classe D. Ce transistor MOSFET utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une faible résistance par surface de silicium. L'inductance plus faible améliore les performances IEM en réduisant la sonnerie de tension qui accompagne les transitoires de courant rapides.

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