MOSFET et Diode canal N Infineon 180 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 HEXFET AEC-Q101

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Code commande RS:
220-7344
Référence fabricant:
AUIRFP4110
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET et Diode

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

180A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

HEXFET

Type de Boitier

TO-247

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

45mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

370W

Tension directe Vf

1.3V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

150nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

5.31mm

Largeur

20.7mm

Longueur

15.87mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Les transistors MOSFET de puissance Infineon AUIRFP4110 spécialement conçus pour les applications automobiles utilisent les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont une température d'utilisation de jonction de 175 °C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure puissance nominale à avalanche répétitive. Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications automobiles et une grande variété d'autres applications.

Technologie de processus Advanced

Très faible résistance à l'état passant

Température d'utilisation de 175 °C

Commutation rapide

Avalanche répétitive jusqu'à Tjmax

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