MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, SuperSO8 5 x 6 16 A 300 V, 8 broches

La diode rapide Infineon OptiMOS (FD) 200 V, 250 V et 300 V est optimisée pour la commutation dure de diode de corps. Ces dispositifs sont le choix parfait pour les applications de commutation difficiles telles que les télécommunications, les alimentations industrielles, les amplificateurs audio de classe D, la commande de moteur et l'inverseur c.c.-c.a.

Robustesse de commutation dure améliorée
Comportement de commutation dur optimisé
R ds(on), Q g et Q rr les plus faibles de l'industrie
Conforme à la directive RoHS - sans halogène
Fiabilité du système la plus élevée
Réduction des coûts des systèmes
Rendement et densité de puissance les plus élevés
Produits faciles à concevoir