MOSFET et Diode canal N Infineon 16 A 300 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS

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Code commande RS:
220-7356
Référence fabricant:
BSC13DN30NSFDATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET et Diode

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

16A

Tension Drain Source maximum Vds

300V

Type de Boitier

TDSON

Série

OptiMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

130mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

23nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.1mm

Longueur

5.35mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.2mm

Standard automobile

Non

La diode rapide Infineon OptiMOS (FD) 200 V, 250 V et 300 V est optimisée pour la commutation dure de diode de corps. Ces dispositifs sont le choix parfait pour les applications de commutation difficiles telles que les télécommunications, les alimentations industrielles, les amplificateurs audio de classe D, la commande de moteur et l'inverseur c.c.-c.a.

Robustesse de commutation dure améliorée

Comportement de commutation dur optimisé

R ds(on), Q g et Q rr les plus faibles de l'industrie

Conforme à la directive RoHS - sans halogène

Fiabilité du système la plus élevée

Réduction des coûts des systèmes

Rendement et densité de puissance les plus élevés

Produits faciles à concevoir

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