MOSFET et Diode canal N Infineon 200 A 80 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF OptiMOS 5 AEC-Q101

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (2 unités, dans un pack de 2)*

9,18 €

HT

11,02 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 17 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 184,59 €9,18 €
20 - 483,845 €7,69 €
50 - 983,62 €7,24 €
100 - 1983,35 €6,70 €
200 +3,12 €6,24 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
220-7366
Référence fabricant:
IAUT200N08S5N023ATMA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET et Diode

Courant continu de Drain maximum Id

200A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Série

OptiMOS 5

Type de Boitier

PG-HSOF

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

2.3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Infineon offre une large gamme de transistors MOSFET de puissance certifiés pour l'automobile 75 V - 100 V à canal N utilisant la nouvelle technologie OptiMOS dans divers boîtiers, une gamme RDS(on) de 1,2 mmax. à 190 MΩ en réduisant les émissions de CO2 des voitures de tourisme accélère l'adoption nette de la carte 48 V et donc les générateurs de démarreur 48 V. (Inverseur principal), commutateurs principaux de batterie, convertisseur DCDC ainsi que auxiliaires 48 V. Pour ce marché en développement, Infineon offre une large gamme de MOSFET automobile 80 V et 100 V, Ils sont logés dans différents types de boîtier tels que TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), tolT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) et S308 (TSDSON-8), afin de fournir des solutions pour différentes exigences d'alimentation ainsi que différents concepts de refroidissement au niveau de l'unité de commande électronique (ECU). A côté des applications 48 V, les transistors MOSFET 80 V et 100 V sont également utilisés par exemple dans l'éclairage à LED, l'injection de carburant et la charge sans fil dans les véhicules.

Canal N - Mode d'enrichissement

MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C

Température d'utilisation de 175 °C

Très faible RDS(on)

Testé à 100 % en avalanche

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.