MOSFET canal N Infineon 240 A 80 V Enrichissement, 8 broches, HSOF OptiMOS 5 AEC-Q101

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217-2485
Référence fabricant:
IAUT240N08S5N019ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

240A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Série

OptiMOS 5

Type de Boitier

HSOF

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

230W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

100nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

Infineon 80 V, N-Ch, 1,9 MΩ max., MOSFET automobile, TOLL, OptiMOS.-5.

Canal N - Mode d'enrichissement

Qualifié AEC

MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C

Température d'utilisation de 175 °C

Produit vert (conforme à la norme RoHS)

Très faible RDS(on)

Testé à 100 % en avalanche

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