MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, DDPAK 83 A 650 V, 10 broches

Les technologies Infineon présentent le double DPAK (DDPAK), le premier boîtier de circuit à montage en surface (CMS) refroidi par le dessus, qui s'adresse aux applications SMPS haute puissance telles que l'alimentation PC, l'énergie solaire, le serveur et les télécommunications. Les avantages de la technologie haute tension 600 V Cool MOS G7 Super Junction (SJ) MOSFETis déjà existante, combinée au concept innovant de refroidissement latéral, fournissent une solution système pour les topologies de commutation haute intensité telles que PFC et une solution haut de gamme pour les topologies LLC.

Offre le meilleur FOM RDS(on) x Eoss et RDS(on) x Qg
Concept de refroidissement innovant sur le dessus
Configuration de source Kelvin 4e broche intégrée et source parasite faible Inductance
Capacité TCOB de >> 2 000 cycles, Conforme à la norme MSL1 et sans plomb total
Rendement énergétique le plus élevé
Le découplage thermique de la carte et du semi-conducteur permet de surmonter la température Limites de circuit imprimé
L'inductance de source parasite réduite améliore l'efficacité et la facilité d'utilisation
Permet des solutions de densité de puissance plus élevée
Dépassant les normes de qualité les plus élevées