MOSFET et Diode canal N Infineon 16 A 650 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 CoolMOS P7
- Code commande RS:
- 220-7437
- Référence fabricant:
- IPN60R600P7SATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 20 unités)*
13,38 €
HT
16,06 €
TTC
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- Plus 1 900 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 octobre 2026
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,669 € | 13,38 € |
| 100 - 180 | 0,635 € | 12,70 € |
| 200 - 480 | 0,608 € | 12,16 € |
| 500 - 980 | 0,581 € | 11,62 € |
| 1000 + | 0,468 € | 9,36 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 220-7437
- Référence fabricant:
- IPN60R600P7SATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Série | CoolMOS P7 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 600mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 7W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 9nC | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Température d'utilisation maximum | +150°C | |
| Hauteur | 1.8mm | |
| Largeur | 3.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Série CoolMOS P7 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 600mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 7W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 9nC | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Température d'utilisation maximum +150°C | ||
Hauteur 1.8mm | ||
Largeur 3.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
MOSFET et diode Infineon CoolMOS série P7, tension de source de drain maximale de 650 V, courant de drain continu maximal de 16 A - IPN60R600P7SATMA1
Caractéristiques et avantages :
• Le courant de drainage continu de 16 A permet un fonctionnement en charge prolongée
• Rds(on) de 600 mΩ minimise les pertes de conduction pendant la commutation
• La charge de grille typique de 9 nC réduit les besoins en énergie d'entraînement
• Dissipation de puissance maximale de 7 W permettant une gestion significative de la charge thermique
• La tension de la diode directe de 0,9 V réduit la chute de conduction en cas de roue libre
Applications
• Idéal pour les convertisseurs de puissance à découpage nécessitant un montage en surface
• Utilisé pour le redressement synchrone dans les conceptions à topologie mixte
• Peut être utilisé pour les étapes intermédiaires d'entraînement de moteur industriel
• Convient aux convertisseurs c.c.-c.c. avec des températures de fonctionnement élevées
Quelle plage de tension de grille est sûre pour piloter l'appareil?
Quelles températures extrêmes peut-il supporter pendant son utilisation?
Combien de broches le boîtier présente-t-il pour la disposition du circuit imprimé?
Quel est le type de canal et le mode de conduction du transistor?
Quel style de montage est nécessaire pour l'assemblage sur une carte?
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