MOSFET et Diode canal N Infineon 151 A 650 V Enrichissement, 4 broches, TO-247 CoolMOS P7
- Code commande RS:
- 220-7465
- Référence fabricant:
- IPZA60R060P7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 4,458 € | 133,74 € |
| 60 - 120 | 4,235 € | 127,05 € |
| 150 + | 4,057 € | 121,71 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 220-7465
- Référence fabricant:
- IPZA60R060P7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 151A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | CoolMOS P7 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 60mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 164W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 67nC | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.1mm | |
| Longueur | 15.9mm | |
| Hauteur | 21.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 151A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série CoolMOS P7 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 60mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 164W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 67nC | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.1mm | ||
Longueur 15.9mm | ||
Hauteur 21.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET à super jonction Infineon 600V Cool MOS P7 est le successeur de la série Cool MOS P6 600 V. Il continue d'équilibrer le besoin d'un haut rendement par rapport à la facilité d'utilisation dans le processus de conception. Le meilleur RonxA de classe et la faible charge de grille (QG) inhérente à la plate-forme de 7e génération Cool MOS garantissent un haut rendement.
Le P7 600 V permet d'excellentes RDS(on)xEoss et RDS(on)XQG de FOM
Robustesse ESD de ≥ 2 kV (HBM classe 2)
Résistance de porte RG intégrée
Diode intégrée robuste
Large gamme de boîtiers à montage traversant et en surface
Des pièces de qualité standard et industrielle sont disponibles
L'excellent Fom RDS(on)XQG/RDS(on)xEoss permet un rendement plus élevé
Facilité d'utilisation dans les environnements de fabrication en arrêtant les pannes ESD
Le RG intégré réduit la sensibilité d'oscillation du MOSFET
Le transistor MOSFET est adapté pour les topologies de commutation difficiles et résonantes Tels que PFC et LLC
Excellente robustesse pendant la commutation difficile de la diode de corps visible Dans la topologie LLC
Adapté à une grande variété d'applications finales et de sorties Puissances
Pièces disponibles pour les applications grand public et industrielles
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