MOSFET Transistor & Diode Infineon canal P, D2PAK (TO-263) 5,6 A 20 V, 2 broches

Les transistors MOSFET à canal P Infineon d'international Rectifier utilisent des techniques de traitement Advanced pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Cet avantage fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour une utilisation dans les applications de gestion de batterie et de charge. Le boîtier Micro6 avec son cadre de câble personnalisé produit un transistor MOSFET de puissance HEXFET ® avec RDS(on) 60 % de moins qu'un SOT-23 de taille similaire. Ce boîtier est idéal pour les applications où l'espace sur la carte de circuit imprimé est un facteur important. La conception thermique unique et la réduction RDS(on) permettent une augmentation de la gestion du courant de près de 300 % par rapport à la SOT-23.

Résistance à l'état passant ultra faible
Transistor MOSFET à canal P
Montage en surface
Disponible en ruban et bobine
Sans plomb