MOSFET et Diode P Infineon 5.6 A 20 V Enrichissement, 2 broches, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 220-7501
- Référence fabricant:
- IRLMS6802TRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 220-7501
- Référence fabricant:
- IRLMS6802TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 5.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 2 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 50mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 16nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 3mm | |
| Hauteur | 3mm | |
| Largeur | 1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Courant continu de Drain maximum Id 5.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 2 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 50mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 16nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 3mm | ||
Hauteur 3mm | ||
Largeur 1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Les transistors MOSFET à canal P Infineon d'international Rectifier utilisent des techniques de traitement Advanced pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Cet avantage fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace pour une utilisation dans les applications de gestion de batterie et de charge. Le boîtier Micro6 avec son cadre de câble personnalisé produit un transistor MOSFET de puissance HEXFET ® avec RDS(on) 60 % de moins qu'un SOT-23 de taille similaire. Ce boîtier est idéal pour les applications où l'espace sur la carte de circuit imprimé est un facteur important. La conception thermique unique et la réduction RDS(on) permettent une augmentation de la gestion du courant de près de 300 % par rapport à la SOT-23.
Résistance à l'état passant ultra faible
Transistor MOSFET à canal P
Montage en surface
Disponible en ruban et bobine
Sans plomb
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