Références fabricant

MOSFET canal N Double DiodesZetex 26.5 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333-8 DMT AEC-Q101

Code commande RS:: 222-2873
Référence fabricant:: DMT4014LDV-7
Marque:: DiodesZetex

MOSFET canal N Double DiodesZetex 26.5 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333-8 DMT AEC-Q101

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

Code commande RS:: 222-2873
Référence fabricant:: DMT4014LDV-7
Marque:: DiodesZetex

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	26.5A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Type de Boitier	PowerDI3333-8
	Série	DMT
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	0.019Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	5.7nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Tension directe Vf	1V
	Dissipation de puissance maximum Pd	2.1W
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Configuration du transistor	Double
	Normes/homologations	RoHS
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 26.5A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Type de Boitier PowerDI3333-8
	Série DMT
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 0.019Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.7nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Tension directe Vf 1V
	Dissipation de puissance maximum Pd 2.1W
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Configuration du transistor Double
	Normes/homologations RoHS
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet - DMT4014LDV-7

Le MOSFET DiodesZetex à mode d'amélioration à canal N est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.

Faible RDS(ON) - S'assure que les pertes à l'état passant sont minimisées

Faible résistance à état passant

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

Faible courant de fuite d'entrée/sortie

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.