MOSFET canal N Double DiodesZetex 21.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333-8 DMT AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

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Code commande RS:
222-2875
Référence fabricant:
DMT4015LDV-7
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

21.2A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

PowerDI3333-8

Série

DMT

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.02Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Tension directe Vf

700mV

Tension maximale de source de la grille Vgs

16V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.6nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Configuration du transistor

Double

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

Le MOSFET DiodesZetex à mode d'amélioration à canal N est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.

Faible résistance à état passant

Faible capacité d'entrée

Vitesse de commutation élevée

Faible courant de fuite d'entrée/sortie

Grille protégée ESD

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