MOSFET canal N Double DiodesZetex 21.2 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI3333-8 DMT AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- Code commande RS:
- 222-2875
- Référence fabricant:
- DMT4015LDV-7
- Marque:
- DiodesZetex
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Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,612 € | 15,30 € | - |
| 50 - 75 | 0,60 € | 15,00 € | 1% |
| 100 - 225 | 0,424 € | 10,60 € | 30% |
| 250 - 975 | 0,415 € | 10,38 € | 32% |
| 1000 + | 0,301 € | 7,53 € | 50% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-2875
- Référence fabricant:
- DMT4015LDV-7
- Marque:
- DiodesZetex
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 21.2A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PowerDI3333-8 | |
| Série | DMT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.02Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Tension directe Vf | 700mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 21.2A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PowerDI3333-8 | ||
Série DMT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.02Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Tension directe Vf 700mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
Le MOSFET DiodesZetex à mode d'amélioration à canal N est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
Faible résistance à état passant
Faible capacité d'entrée
Vitesse de commutation élevée
Faible courant de fuite d'entrée/sortie
Grille protégée ESD
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