MOSFET canal N Infineon 14 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS
- Code commande RS:
- 222-4722
- Référence fabricant:
- IPW60R170CFD7XKSA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 3,006 € | 90,18 € |
| 60 - 120 | 2,856 € | 85,68 € |
| 150 + | 2,736 € | 82,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4722
- Référence fabricant:
- IPW60R170CFD7XKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 14A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 650V | |
| Série | CoolMOS | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 170mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 28nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 75W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Largeur | 21.1mm | |
| Hauteur | 5.21mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 14A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 650V | ||
Série CoolMOS | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 170mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 28nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 75W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 16.13mm | ||
Largeur 21.1mm | ||
Hauteur 5.21mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de Cool MOS est une technologie révolutionnaire pour les transistors MOSFET de puissance haute tension, conçue conformément au principe de super jonction (SJ) et développée par Infineon Technologies. La série C7 Cool MOS de 600 V combine l'expérience du premier fournisseur de MOSFET SJ avec une innovation de haute qualité. Le C7 600 V est la première technologie jamais utilisée avec RDS(on) * A en dessous de 1 ohm * mm2.
Placage sans plomb; Conforme à la directive RoHS
Résistance thermique supérieure testée à 100 % en avalanche
Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-23
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