MOSFET canal N Infineon 16 A 110 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 222-4752
- Référence fabricant:
- IRFR3910TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
1 047,00 €
HT
1 257,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,349 € | 1 047,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4752
- Référence fabricant:
- IRFR3910TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 110V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.12mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 44nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 79W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Largeur | 2.39mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 6.22mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 110V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.12mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 44nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 79W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.73mm | ||
Largeur 2.39mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 6.22mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de MOSFET de puissance HEXFET ® de international Rectifier utilise des techniques de traitement Advanced pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les transistors MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications.
Technologie de traitement avancée
Puissance nominale dv/dt dynamique
Commutation rapide
Entièrement homologation avalanche
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