MOSFET 1 canal N Double Infineon 250 A 1.2 kV Enrichissement, AG-62MM FF6MR Non
- Code commande RS:
- 222-4796
- Référence fabricant:
- FF6MR12KM1BOSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
745,66 €
HT
894,79 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 22 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 745,66 € |
| 2 - 2 | 708,37 € |
| 3 + | 678,54 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4796
- Référence fabricant:
- FF6MR12KM1BOSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 250A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | AG-62MM | |
| Série | FF6MR | |
| Type de montage | Châssis | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.81mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 20mW | |
| Tension directe Vf | 5.85V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 250A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier AG-62MM | ||
Série FF6MR | ||
Type de montage Châssis | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.81mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 20mW | ||
Tension directe Vf 5.85V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Standard automobile Non | ||
Module demi-pont Infineon 62 mm 1 200 V, 6 mΩ avec transistor MOSFET Cool Sic.
Haute densité de courant
Faibles pertes de commutation
Fiabilité supérieure de l'oxyde de grille
Plus grande robustesse contre l'humidité
Diode de corps intégrée robuste, et donc des conditions thermiques optimales
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 1 canal N Double Infineon 250 A 1.2 kV Enrichissement, AG-62MM FF6MR Non
- MOSFET canal N Infineon 150 A 1.2 kV Enrichissement, AG-EASY2B. FF6MR
- Module IGBT Infineon 520 A AG-62MM-1, montage Serre-joints
- Module IGBT Infineon 275 A AG-62MM-1, montage Serre-joints
- MOSFET canal N Infineon 400 A 1.2 kV Enrichissement AG-EASY3B AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 50 A 1.2 kV Enrichissement AG-EASY1B EasyDUAL Non
- MOSFET canal N Infineon 15 A 1.2 kV Enrichissement AG-EASY1B FS55MR12W1M1H_B11 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 100 A 1.2 kV Enrichissement AG-EASY2B. IAUZ AEC-Q101