Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 15 A 1200 V Enrichissement, 8 broches, AG-EASY1B FS55MR12W1M1H_B11 AEC-Q101

Code commande RS:: 250-0228
Référence fabricant:: FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 15 A 1200 V Enrichissement, 8 broches, AG-EASY1B FS55MR12W1M1H_B11 AEC-Q101

Sous-total (24 unités, dans un plateau de 24)*

1 006,27 €

1 207,54 €

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Unité	Prix par unité	le plateau*
24 +	41,928 €	1 006,27 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 250-0228
Référence fabricant:: FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	15A
	Tension Drain Source maximum Vds	1200V
	Type de Boitier	AG-EASY1B
	Série	FS55MR12W1M1H_B11
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	114mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-40°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-10V
	Tension directe Vf	1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd	81W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	IEC 60747, 60749 and 60068
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 15A
	Tension Drain Source maximum Vds 1200V
	Type de Boitier AG-EASY1B
	Série FS55MR12W1M1H_B11
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 114mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -40°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs -10V
	Tension directe Vf 1.3V
	Dissipation de puissance maximum Pd 81W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations IEC 60747, 60749 and 60068
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet - FS55MR12W1M1HB11NPSA1

Module en paquet de six de transistor MOSFET Infineon CoolSiC EasyPACK™ 1B 1.200 V / 55 mΩ avec transistor MOSFET CoolSiCTM avec technologie de contact NTC et PressFIT de génération 1 améliorée.

Conception à faible inductivité

Faibles pertes de commutation

Montage robuste grâce aux attaches de montage intégrées

Technologie de contact PressFIT

Capteur de température CTN intégré

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