MOSFET canal N Infineon 15 A 1200 V Enrichissement, 8 broches, AG-EASY1B FS55MR12W1M1H_B11 AEC-Q101

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250-0229
Référence fabricant:
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

15A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Série

FS55MR12W1M1H_B11

Type de Boitier

AG-EASY1B

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

114mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Tension maximale de source de la grille Vgs

-10V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

IEC 60747, 60749 and 60068

Standard automobile

AEC-Q101

Module en paquet de six de transistor MOSFET Infineon CoolSiC EasyPACK™ 1B 1.200 V / 55 mΩ avec transistor MOSFET CoolSiCTM avec technologie de contact NTC et PressFIT de génération 1 améliorée.

Conception à faible inductivité

Faibles pertes de commutation

Montage robuste grâce aux attaches de montage intégrées

Technologie de contact PressFIT

Capteur de température CTN intégré

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