MOSFET canal N Infineon 400 A 1200 V Enrichissement, 8 broches, AG-EASY3B AEC-Q101

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250-0223
Référence fabricant:
FF2MR12W3M1HB11BPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

400A

Tension Drain Source maximum Vds

1200V

Type de Boitier

AG-EASY3B

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.44mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-10V

Dissipation de puissance maximum Pd

81W

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

IEC 60747, 60749 and 60068

Standard automobile

AEC-Q101

Module demi-pont CoolSiC MOSFET EasyDUAL™ 3B 1.200 V / 1,44 mΩ d'Infineon avec transistor MOSFET CoolSiC™ avec génération 1 améliorée, capteur de température CTN intégré et technologie de contact PressFIT.

Faibles pertes de commutation

Haute densité de courant

Faible conception inductive

Technologie de contact PressFIT

Capteur de température CTN intégré

Montage robuste grâce à des attaches de montage intégrées

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