MOSFET canal N Infineon 400 A 1.2 kV Enrichissement, 8 broches, AG-EASY3B AEC-Q101
- Code commande RS:
- 250-0222
- Référence fabricant:
- FF2MR12W3M1HB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 8 unités)*
3 304,78 €
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 8 + | 413,098 € | 3 304,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 250-0222
- Référence fabricant:
- FF2MR12W3M1HB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 400A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | AG-EASY3B | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.44mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -10V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | IEC 60747, 60749 and 60068 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 400A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier AG-EASY3B | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.44mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -10V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations IEC 60747, 60749 and 60068 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Module demi-pont CoolSiC MOSFET EasyDUAL™ 3B 1.200 V / 1,44 mΩ d'Infineon avec transistor MOSFET CoolSiC™ avec génération 1 améliorée, capteur de température CTN intégré et technologie de contact PressFIT.
Faibles pertes de commutation
Haute densité de courant
Faible conception inductive
Technologie de contact PressFIT
Capteur de température CTN intégré
Montage robuste grâce à des attaches de montage intégrées
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