MOSFET Infineon 50 A 2 kV, AG-EASY3B

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Code commande RS:
260-1093
Référence fabricant:
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

50A

Tension Drain Source maximum Vds

2kV

Type de Boitier

AG-EASY3B

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

26.5mΩ

Tension directe Vf

6.15V

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET Infineon est doté d'une configuration boost à 4 pattes dans un boîtier Easy 3B et est fourni avec la dernière génération CoolSiC M1H. Le transistor MOSFET SiC 2 000 V partage les mêmes performances et avantages que la série M1H 1 200 V, y compris RDS(on) inférieur de 12 % à 125 °C, zone de tension de source de grille plus large pour une plus grande flexibilité, une température de jonction maximale de 175 °C et de plus petites tailles de circuit.

Haute densité de courant

Conception à faible inductivité

Montage robuste grâce aux attaches de montage intégrées

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