MOSFET Infineon 50 A 2 kV, AG-EASY3B
- Code commande RS:
- 260-1092
- Référence fabricant:
- DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 plateau de 8 unités)*
1 646,78 €
HT
1 976,14 €
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 8 + | 205,848 € | 1 646,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 260-1092
- Référence fabricant:
- DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 50A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 2kV | |
| Type de Boitier | AG-EASY3B | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 26.5mΩ | |
| Tension directe Vf | 6.15V | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 50A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 2kV | ||
Type de Boitier AG-EASY3B | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 26.5mΩ | ||
Tension directe Vf 6.15V | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET Infineon est doté d'une configuration boost à 4 pattes dans un boîtier Easy 3B et est fourni avec la dernière génération CoolSiC M1H. Le transistor MOSFET SiC 2 000 V partage les mêmes performances et avantages que la série M1H 1 200 V, y compris RDS(on) inférieur de 12 % à 125 °C, zone de tension de source de grille plus large pour une plus grande flexibilité, une température de jonction maximale de 175 °C et de plus petites tailles de circuit.
Haute densité de courant
Conception à faible inductivité
Montage robuste grâce aux attaches de montage intégrées
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