MOSFET canal N Infineon 40 A 600 V Enrichissement, 5 broches, ThinPAK IPD50R

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Code commande RS:
222-4907
Référence fabricant:
IPL60R060CFD7AUMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

40A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

ThinPAK

Série

IPD50R

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

60mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

219W

Température minimum de fonctionnemen

-40°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

79nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

1.1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.1mm

Normes/homologations

No

Largeur

8.1mm

Longueur

8.1mm

Standard automobile

Non

Infineon 600 V CoolMOS TM CFD7 est la toute dernière technologie de transistor MOSFET haute tension à super jonction d'Infineon avec diode intégrée à corps rapide, complète la série CoolMOS TM 7. Le CoolMOS CFD7 est fourni avec une charge de grille réduite (Qg), un comportement de mise hors tension amélioré et une charge de récupération inverse (QRR) jusqu'à 69 % plus faible que la concurrence, ainsi que le temps de récupération inverse le plus faible (TRR) sur le marché.

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