MOSFET canal N Infineon 29 A 600 V Enrichissement, 5 broches, ThinPAK IPD50R
- Code commande RS:
- 222-4908
- Référence fabricant:
- IPL60R065C7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
10 443,00 €
HT
12 531,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 3,481 € | 10 443,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4908
- Référence fabricant:
- IPL60R065C7AUMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 29A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | ThinPAK | |
| Série | IPD50R | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 65mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 180W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 68nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 8.1mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 8.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 29A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier ThinPAK | ||
Série IPD50R | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 65mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 180W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 68nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 8.1mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 8.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
La série Infineon 600 V CoolMOS TM C7 Superjonction (SJ) MOSFET offre une réduction d'environ 50 % des pertes de mise hors tension (E oss) par rapport au CoolMOS TM CP, offrant un niveau de performances exceptionnel dans les topologies PFC, TTF et autres topologies de commutation rigide. L'IPL60R185C7 est également une solution parfaite pour les conceptions de chargeur haute densité de puissance.
Paramètres de perte de commutation réduite tels que Q G, C oss, E oss
Valeur de mérite Q G*R DS(on) haut de gamme
Fréquence de commutation accrue
Meilleure R (on)*A au monde
Diode intégrée robuste
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