MOSFET canal N Infineon 26 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 IPP60R

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Code commande RS:
222-4928
Référence fabricant:
IPP60R120P7XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

26A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220

Série

IPP60R

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

120mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

36nC

Tension directe Vf

900mV

Dissipation de puissance maximum Pd

95W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.36mm

Hauteur

9.45mm

Normes/homologations

No

Largeur

4.57mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET Infineon série IPP60R, tension de source de drain maximale de 600 V, courant de drain continu maximal de 26 A - IPP60R120P7XKSA1


Ce MOSFET est un transistor de commutation haute tension conçu pour les applications de commande de puissance où une tolérance de tension et une plage thermique élevées sont requises. Il fonctionne comme un dispositif d'amélioration à canal N dans un boîtier TO-220 à trou traversant et convient aux conceptions de circuits qui exigent une commande de grille robuste et une gestion significative du courant continu dans des environnements de température exigeants.

Caractéristiques et avantages :


• La tension drain-source de 600 V permet une capacité de commutation haute tension
• Le RDS(on) de 120 mΩ réduit les pertes de conduction pour un meilleur rendement
• Le courant de drain continu de 26 A prend en charge des courants de charge substantiels
• La charge de grille typique de 36 nC facilite le dimensionnement de l'entraînement de grille pour une commutation plus rapide
• La dissipation de puissance maximale de 95 W permet un fonctionnement à haute puissance
• La plage de fonctionnement de -55 à 150 °C prend en charge un large éventail d'environnements thermiques

Applications


• Adapté aux étapes de commutation primaire SMPS haute tension
• Idéal pour les circuits en demi-pont d'entraînement motorisé nécessitant un montage traversant
• Utilisé avec les onduleurs industriels gérant des tensions élevées
• Peut être utilisé pour la conversion de puissance à découpage dans les équipements d'établi
• Adapté aux alimentations nécessitant une tolérance thermique robuste

Quelle est la tension de grille maximale recommandée pour les circuits d'entraînement?


Le dispositif accepte des tensions de source de grille jusqu'à 20 V, de sorte que les drivers de grille doivent être sélectionnés pour rester dans cette limite.

Comment le choix du boîtier affecte-t-il le montage et la gestion thermique?


Le boîtier traversant TO-220 facilite le dissipateur thermique et le montage direct sur circuit imprimé pour une meilleure dissipation thermique.

À quelles performances de conduction peut-on s'attendre en cas de charges lourdes?


Avec un RDS(on) jusqu'à 120 mΩ et un courant de drain continu de 26 A, les pertes de conduction sont quantifiables pour les calculs de conception thermique.

Comment les pertes de commutation doivent-elles être prises en compte dans la conception?


Utilisez la charge de grille typique de 36 nC pour estimer l'énergie du driver par événement de commutation et incluez la valeur nominale de 600 V lors du calcul des pertes de commutation liées à la tension.

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