MOSFET 2 canal N Double Infineon 20 A 60 V Enrichissement, 8 broches, TDSON OptiMOS AEC-Q101
- Code commande RS:
- 223-8523
- Référence fabricant:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,089 € | 16,34 € |
| 75 - 135 | 1,035 € | 15,53 € |
| 150 - 360 | 1,013 € | 15,20 € |
| 375 - 735 | 0,949 € | 14,24 € |
| 750 + | 0,883 € | 13,25 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 223-8523
- Référence fabricant:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 20A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TDSON | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 26mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 33W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 16V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Configuration du transistor | Double | |
| Hauteur | 1mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 5.15mm | |
| Largeur | 5.9mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 2 | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 20A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TDSON | ||
Série OptiMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 26mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 33W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 15nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 16V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Configuration du transistor Double | ||
Hauteur 1mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 5.15mm | ||
Largeur 5.9mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 2 | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Transistor MOSFET Infineon série OptiMOS, tension de source de drain maximale de 60 V, courant de drain continu maximal de 20 A - IPG20N06S4L26AATMA1
Ce MOSFET est un transistor à double canal N à montage en surface conçu pour la commutation et le contrôle de puissance dans les environnements exigeants. Il combine de faibles pertes de conduction avec des exigences d'entraînement de grille modestes pour prendre en charge les applications à courant élevé dans les systèmes automobiles et industriels où la tolérance à la température et l'emballage compact sont importants.
Caractéristiques et avantages :
• La valeur nominale de drain de 60 V permet des applications de commutation à moyenne tension
• Le courant de drain continu de 20 A prend en charge des courants de charge substantiels
• Rds(on) de 26 mΩ réduit les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La charge de grille typique de 15 nC minimise l'énergie d'entraînement de grille
• Dissipation de puissance maximale de 33 W permettant une manipulation thermique significative
• La protection maximale de la source de la grille de 16 V préserve l'intégrité de la porte
• Le courant de drain continu de 20 A prend en charge des courants de charge substantiels
• Rds(on) de 26 mΩ réduit les pertes de conduction pendant le fonctionnement
• La charge de grille typique de 15 nC minimise l'énergie d'entraînement de grille
• Dissipation de puissance maximale de 33 W permettant une manipulation thermique significative
• La protection maximale de la source de la grille de 16 V préserve l'intégrité de la porte
Applications
• Convient aux étages de puissance automobiles nécessitant la qualification AEC-Q101
• Utilisé pour les convertisseurs c.c.-c.c. dans les systèmes de véhicules
• Idéal pour les circuits en demi-pont d'entraînement de moteur sur les cartes compactes
• Peut être utilisé pour la commutation de charge à courant élevé dans la commande industrielle
• Utilisé avec des conceptions de gestion thermique pour des températures de fonctionnement élevées
• Utilisé pour les convertisseurs c.c.-c.c. dans les systèmes de véhicules
• Idéal pour les circuits en demi-pont d'entraînement de moteur sur les cartes compactes
• Peut être utilisé pour la commutation de charge à courant élevé dans la commande industrielle
• Utilisé avec des conceptions de gestion thermique pour des températures de fonctionnement élevées
Quel type de boîtier est utilisé pour la mise en œuvre du circuit imprimé compact?
Il est fourni dans un boîtier TDSON à 8 broches adapté au montage en surface.
Dans quelle mesure résiste-t-il aux températures ambiantes élevées?
Le dispositif est conçu pour fonctionner jusqu'à une température de fonctionnement maximale de 175 °C.
Quelles sont les limites de protection pour l'électrode de porte?
Les excursions de grille sont limitées par une tension de source de grille maximale de 16 V.
Combien d'éléments de transistor sont présents par puce?
Il y a deux éléments par circuit dans la configuration double.
À quelle norme environnementale ou matérielle répond-il?
Le composant est homologué RoHS pour la conformité aux substances réglementées.
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