MOSFET P Vishay 71.9 A 80 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 TrenchFET

Sous-total (3000 unités, sur une bobine de 3000)*

4 128,00 €

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Code commande RS:
228-2909
Référence fabricant:
SiR681DP-T1-RE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

71.9A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

SO-8

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

11.2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

69.4nC

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Le canal P Vishay TrenchFET est un transistor MOSFET de 80 V.

Testé à 100 % Rg et ISU

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