MOSFET canal N Infineon 170 A 40 V, 8 broches, TDSON-8 FL ISC

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Code commande RS:
234-6997
Référence fabricant:
ISC019N04NM5ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

170A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TDSON-8 FL

Série

ISC

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.7mΩ

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

67nC

Dissipation de puissance maximum Pd

115W

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

3.8mm

Normes/homologations

No

Largeur

1.1mm

Longueur

4.4mm

Standard automobile

Non

Le transistor MOSFET à canal N à transistor de puissance OptiMOS 5 d'Infineon est doté d'une tension de rupture de source de drain de 40 V et d'un courant de drain continu de 170 A. Ce produit offre une solution de référence pour les applications nécessitant une capacité d'entraînement de niveau normal (tension de seuil supérieure). La valeur élevée de Vth dans le portefeuille de niveaux normaux offre une immunité aux faux déclenchements dus à des environnements bruyants. En outre, des rapports QGD/QGS plus faibles réduisent le pic des pics de tension de la grille, ce qui contribue davantage à la robustesse contre la mise sous tension indésirable.

Application alimentée par batterie

Entraînements de moteur LLV

Très faible résistance sous tension RDS(on)

100 % testé contre les avalanches

Température de jonction de 175 °C

Résistance thermique supérieure

Faible charge de grille

Pertes de commutation réduites

Adapté au fonctionnement à des fréquences plus élevées

Canal N

Il est doté d'un placage ne contenant pas de plomb.

Conformité RoHS

Sans halogène conformément à la norme CEI61249-2-21

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