MOSFET P Infineon 990 mA 100 V Enrichissement, 3 broches, SOT-223 ISP

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Code commande RS:
235-4879
Référence fabricant:
ISP20EP10LMXTSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

990mA

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

SOT-223

Série

ISP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

3.5nC

Tension directe Vf

1.2V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

4.2W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

7.3mm

Hauteur

6.7mm

Largeur

1.8mm

Standard automobile

Non

Les MOSFET Infineon OptiMOS TM à canal P 100 V dans un boîtier SOT-223 représentent la nouvelle technologie ciblée pour la gestion de batterie, les commutateurs de charge et les applications de protection contre les inversions de polarité. L'avantage principal d'un dispositif à canal P est la réduction de la complexité de conception dans les applications de puissance moyenne et faible. Son interface facile au microcontrôleur, sa commutation rapide et sa robustesse en avalanche le rendent adapté pour les applications exigeantes de haute qualité. Il est disponible en niveau normal avec une large plage RDS(on) et améliore le rendement à faibles charges grâce à un faible Qg. Il est utilisé dans la gestion de batterie, l'automatisation industrielle.

Idéal pour une fréquence de commutation élevée et faible

Résiste aux avalanches

Boîtier de montage en surface à encombrement standard

Performances robustes et fiables

Sécurité d'alimentation accrue

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