MOSFET canal N Infineon 75 A 100 V, 8 broches, TSDSON ISZ080N10
- Code commande RS:
- 235-4883
- Référence fabricant:
- ISZ080N10NM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
10,92 €
HT
13,11 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 22 novembre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,184 € | 10,92 € |
| 50 - 120 | 1,922 € | 9,61 € |
| 125 - 245 | 1,814 € | 9,07 € |
| 250 - 495 | 1,68 € | 8,40 € |
| 500 + | 1,552 € | 7,76 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 235-4883
- Référence fabricant:
- ISZ080N10NM6ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 75A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TSDSON | |
| Série | ISZ080N10 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 8.04mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 100W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 24nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 1.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 3.4mm | |
| Hauteur | 3.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 75A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TSDSON | ||
Série ISZ080N10 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 8.04mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 100W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 24nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 1.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 3.4mm | ||
Hauteur 3.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET 100 V à puissance industrielle Infineon OptiMOS TM 6 est conçu pour les applications à haute fréquence de commutation telles que les télécommunications et l'alimentation de serveur, mais également le choix idéal pour d'autres applications telles que l'énergie solaire, les outils électriques et les drones. Par rapport aux produits alternatifs, la technologie de galette fine leader d'Infineon offre des avantages significatifs en termes de performances.
Charge de récupération inverse plus faible et plus souple
Idéal pour les fréquences de commutation élevées
Indice d'énergie élevé en avalanche
Conforme à la directive RoHS
Faibles pertes de conduction
Faibles pertes de commutation
Ecologique.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 75 A 100 V TSDSON ISZ080N10
- MOSFET canal N Infineon 160 A 100 V N, TSDSON iPB
- MOSFET canal N Infineon 31 A 100 V TSDSON ISZ230N10
- MOSFET canal N Infineon 40 A 100 V Enrichissement TSDSON BSZ097N10NS5
- MOSFET canal N Infineon 100 A 25 V Enrichissement TSDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 40 A 100 V N TSDSON-8 FL BSZ
- MOSFET canal N Infineon 40 A 100 V Enrichissement TSDSON OptiMOS-TM3
- MOSFET canal N Infineon 63 A 100 V Enrichissement PG-TSDSON-8 ISZ