MOSFET P Toshiba 3.5 A 60 V, 3 broches, SOT-23 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 236-3570
- Référence fabricant:
- SSM3J351R,LF(T
- Marque:
- Toshiba
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
600,00 €
HT
720,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,20 € | 600,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 236-3570
- Référence fabricant:
- SSM3J351R,LF(T
- Marque:
- Toshiba
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 3.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | SOT-23 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 129mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 15.1nC | |
| Tension directe Vf | 0.85V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 0.8mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 2.9mm | |
| Longueur | 2.4mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 3.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier SOT-23 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 129mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 15.1nC | ||
Tension directe Vf 0.85V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 0.8mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 2.9mm | ||
Longueur 2.4mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor Toshiba à effet de champ est composé du matériau en silicium et du type MOS à canal P. Il est principalement utilisé dans les applications de commutation de gestion de l'alimentation.
Plage de températures de stockage : -55 à 150 °C.
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